Disque Dur SSD Interne Samsung 990 EVO Plus 1To M.2 NVMe PCIe 4.0/5.0 – 7150 Mo/s (MZ-V9S1T0BW)

Réf :
MZ-V9S1T0BW
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Points forts

  • Vitesse ultra rapide jusqu’à 7150 Mo/s pour des performances extrêmes

  • Compatible PCIe 4.0 & PCIe 5.0 (future-proof)

  • Chiffrement matériel AES 256-bit pour une sécurité maximale

  • Format M.2 2280 compact idéal PC et laptop

  • IOPS élevés (jusqu’à 1 350 000) pour multitâche intensif

  • Faible consommation énergétique optimisée

  • Fiabilité Samsung – MTBF 1,5 million d’heures

2 610,00 Dhs 2 790,00 Dhs
Description

Le Samsung 990 EVO Plus 1To est un disque SSD interne haute performance conçu pour les utilisateurs exigeants au Maroc, que ce soit pour le gaming, le montage vidéo, le développement ou les environnements professionnels intensifs.

Grâce à son interface NVMe PCIe 4.0 compatible PCIe 5.0, ce SSD offre des vitesses de transfert exceptionnelles atteignant 7150 Mo/s en lecture et 6300 Mo/s en écriture, garantissant des temps de chargement ultra rapides et une réactivité maximale du système.

Son format M.2 2280 compact permet une intégration facile dans les PC fixes et ordinateurs portables modernes, tout en optimisant l’espace interne. Doté de la technologie V-NAND TLC Samsung, ce disque assure une excellente durabilité et une performance constante dans le temps.

Le Samsung 990 EVO Plus est également équipé de fonctionnalités avancées telles que le support TRIM, S.M.A.R.T, et la gestion intelligente de l’énergie (DevSlp), améliorant la longévité et l’efficacité globale du stockage.

Côté sécurité, il intègre un chiffrement matériel AES 256-bit, idéal pour protéger les données sensibles, notamment en entreprise.

Que vous soyez professionnel IT, gamer ou utilisateur avancé, ce SSD est un choix idéal pour booster les performances de votre machine au Maroc.


Caractéristiques techniques

  • Marque : Samsung

  • Série : 990 EVO Plus

  • Référence : MZ-V9S1T0BW

  • Capacité : 1 To (1000 Go)

  • Format : M.2 2280 (22 x 80 mm)

  • Interface : PCIe 4.0 (compatible PCIe 5.0)

  • Protocole : NVMe 2.0

  • Type de mémoire : V-NAND TLC

Performance :

  • Lecture séquentielle : 7150 Mo/s

  • Écriture séquentielle : 6300 Mo/s

  • Lecture aléatoire (4KB) : 850 000 IOPS

  • Écriture aléatoire (4KB) : 1 350 000 IOPS

Sécurité :

  • Chiffrement : AES 256-bit

Fiabilité :

  • MTBF : 1 500 000 heures

Consommation :

  • Lecture : 4.3 W

  • Écriture : 4.2 W

Dimensions & poids :

  • Dimensions : 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

  • Poids : 9 g

Détails de produit
Plus d’information
Réf MZ-V9S1T0BW
Ref Frns MZ-V9S1T0BW
Marque Samsung
Couleur Noir
Disque Dur 1 To
Nbr d'unités 1
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